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반도체 공정

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[반도체 8대 공정] 5. 산화 공정에 대하여 안녕하세요! 오늘은 반도체 8대 공정 중 두 번째 단계인 산화 공정에 대해서 복습해보도록 하겠습니다!  저번 글에서는 반도체를 만드는 데 있어 가장 기본이 되는 웨이퍼 제조에 알아보았고 이번 글에서는 그 웨이퍼를 보호하기 위한 산화 공정에 대해 알아보겠습니다. 1. 산화 공정 개념 먼저 산화 공정이란 웨이퍼 표면에 SiO₂의 막을 형성시키는 과정인데요, 포토공정, 식각공정 등이 잘 일어나도록하게 하는 발판이 되어줍니다.그 뿐만 아니라 위에서 말했듯이 매우 작은 오염물이라도 직접회로의 전기적 특성에 치명적인 결함을 일으킬 수 있기 때문에 웨이퍼를 보호하기 위한 목적으로도 꼭 필요한 과정입니다. 2. 산화 방법 산화 공정 방법으로는 열산화(Thermal Oxidation), 화학적 기상 증착 산화(Chemi..
[반도체 8대 공정] 3. 박막 증착 공정에 대하여 안녕하세요! 오늘은 박막 증착 공정(Thin Flim Deposition Process)에 대해 복습하고자 합니다! 박막 증착 공정은 에칭 공정 이후 웨이퍼에 1μm 이하의 얇은 film을 증착하는 과정으로, 이를 통해 웨이퍼는 전기적 특성을 띠게 됩니다.  먼저 박막 증착 공정에는 크게 두 가지로 나뉘는데 화학적 증착 방법 CVD, 물리적 증착 방법 PVD로 나뉩니다.세부적으로 CVD는 PECVD, LPCVD, APCVD, HDPCVD, ALD로 나뉘고 PVD는 E Beam Evaporator, Thermal Evaporator, Sputtering방식으로 나뉩니다. CVD방식은 가스의 화학 반응으로 형성된 입자들이 외부에너지가 부여된 수증기 형태로 증착됩니다. 도체, 부도체, 반도체 박막 증착에 모두..